| 申请公开说明书(31页) English version |
一种制作包括化合物半导体结构的集成光路的方法，所述化合物半导体结构具有量子阱区域，采用光子源对该结构进行照射以产生缺陷，光子的能量(E)至少为该化合物半导体的至少一个元素的置换能(ED)。然后将该结构进行退火以推动量子阱混合。优选的照射源是采用电子回旋共振(ECR)系统生成的等离子体。可按不同的方式遮挡该结构，从而通过控制该结构在照射源中的暴露部分，按在空间上可控制的方式实现该结构的选择性混合。 |
| 申 请 号： |
01806266.0 |
申 请 日：
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2001.03.02 |
| 名 称： |
量子阱混合
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| 公开 (公告) 号： |
CN1416607 |
公开(公告)日：
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2003.05.07 |
| 主 分 类 号： |
H01S5/026 |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01S5/026;H01L21/18;H01L21/266 |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
2000.3.8 WO PCT/SG00/00038;2000.3.8 WO PCT/SG00/00039;2000.9.11 SG 200004787－8;2000.9.11 SG 200004786－0 |
| 申请(专利权)人： |
NTU企业私人有限公司 |
| 地 址： |
新加坡新加坡 |
| 发 明 (设计)人： |
黄文秀;蓝而来;陈润全;周彦 |
国 际 申 请： |
PCT/GB01/00898 2001.3.2 |
| 国 际 公 布： |
WO01/67568 英 2001.9.13 |
进入国家日期： |
2002.09.09 |
| 专利 代理 机构： |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代 理 人： |
王永刚 |
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