| 申请公开说明书(10页) 审定授权说明书(10页) English version |
本发明介绍了一种用于薄膜制造技术的磁控溅射镀膜源。它的构成如下:两个磁极对称的外部环形永磁体和一个内部环形永磁体形成磁控溅射磁场，在内部 永磁体的外围装有一个水冷溅射阴极，并在它的上面安放着靶材，在外部永磁体和水冷溅射阴极之间装有一个阴极屏蔽罩，屏蔽罩和水冷溅射阴极的下部置于绝缘体上。该磁控溅射源不仅可实现高溅射淀积速率，低基片温度，而且可将靶材利用率从平面磁控溅射源的30％提高到64％。 |
| 申 请 号： |
93111860.3 |
申 请 日：
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1993.06.22 |
| 名 称： |
对称磁体磁控溅射源
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| 公开 (公告) 号： |
CN1096825 |
公开(公告)日：
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1994.12.28 |
| 主 分 类 号： |
C23C14/35 |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
C23C14/35 |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
电子科技大学 |
| 地 址： |
610054四川省成都市建设北路二段四号 |
| 发 明 (设计)人： |
范启华; 陈小洪; 陈宏猷; 洪源; 张鹰 |
国 际 申 请： |
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| 国 际 公 布： |
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进入国家日期： |
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| 专利 代理 机构： |
电子科技大学专利事务所 |
代 理 人： |
盛明洁 |
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