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    一种制备氧化钒薄膜的方法,包括①衬底表面清洗。②溅射钒膜:充入氩气至安放衬底的真空室,分别采用平行粒子束、聚焦粒子束清洗衬底和耙材;溅射镀制钒膜,直至镀膜结束。③氧化扩散和后退火:在氩气气氛下加热退火炉,升温后充入氧气,氧气和氩气的流量比为1∶10~10∶1;氧化钒膜,制备氧化钒薄膜;钒膜氧化充分后,关闭氧气阀,氧化钒膜在纯氩气中退火;退火结束后,关闭退火炉,在氩气环境内冷却至室温。该方法克服了反应离子溅射镀膜方法存在的内在缺陷,避免了粒子束对氧化钒膜结构的损伤,增强薄膜的致密性和与衬底的粘附性;不需要在溅射镀膜过程中严格控制反应气体流量,降低了方法难度,增加了方法的可重复性,能制备出具有不同化学配比、可满足多种需求的氧化钒薄膜。
申    请    号: 02138793.1 申   请   日: 2002.07.13
名          称: 一种制备氧化钒薄膜的方法

公开 (公告) 号: CN1392286 公开(公告)日: 2003.01.22
主  分  类  号: C23C14/08 分案原申请号:
分    类    号: C23C14/08;C23C14/36
颁   证     日: 优   先   权:
申请(专利权)人: 华中科技大学
地          址: 430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
发 明 (设计)人: 黄光;陈长虹;王宏臣;李雄伟 国  际 申 请:
国  际  公  布: 进入国家日期:
专利 代理 机构: 华中科技大学专利中心 代   理   人: 方放

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