专利：NAND闪存装置

申请公开说明书(24页) 审定授权说明书(24页) English version

提供一NAND闪存装置。该存储装置包括：用于输入和输出M-bit数据(M是任意自然数)的M个输入/输出引脚、第一和第二输入缓冲器电路、一地址寄存器、一指令寄存器和一数据输入寄存器。第一和第二输入缓冲器电路分别接收经由输入/输出引脚输入的M-bit数据的N个最低有效位(N是任意自然数)和N个最高有效位。地址寄存器响应于地址加载信号，接收第一输入缓冲器电路的一输出作为一地址。指令寄存器响应于指令加载信号，接收第一地址缓冲器电路的一输出作为一指令。数据输入寄存器响应于数据加载信号，同时接收第一和第二输入缓冲器电路的输出，作为将被编程的数据。锁存在数据输入寄存器中的M-bit数据经由一数据总线被加载到检测和锁存单元上。

申请号：

03105448.X

申请日：

2003.01.15

名称：

NAND闪存装置

公开 (公告) 号：

CN1432920

公开(公告)日：

2003.07.30

主分类号：

G06F12/00

分案原申请号：

分类号：

G06F12/00;G06F3/00

颁证日：

优先权：

2002.1.15 KR 02309/2002

申请(专利权)人：

三星电子株式会社

地址：

韩国京畿道

发明 (设计)人：

李永宅;徐康德

国际申请：

国际公布：

进入国家日期：

专利代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

马莹;邵亚丽

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