| 申请公开说明书(13页) English version |
一种具有中空封闭式栅极结构的金氧半导体。其中中空封闭式栅极位于半导体基底上，且中空封闭式栅极具有一中空封闭空间，栅极介电层位于中空封闭式栅极与基底之间。漏极区位于半导体基底中，并位于中空封闭空间内。源极区位于该半导体基底中而环绕着中空封闭式栅极。 |
| 申 请 号： |
02103347.1 |
申 请 日：
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2002.01.29 |
| 名 称： |
半导体元件结构
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| 公开 (公告) 号： |
CN1435895 |
公开(公告)日：
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2003.08.13 |
| 主 分 类 号： |
H01L29/78 |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L29/78 |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
旺宏电子股份有限公司 |
| 地 址： |
台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |
| 发 明 (设计)人： |
谢宗轩;张耀文;卢道政 |
国 际 申 请： |
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| 国 际 公 布： |
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进入国家日期： |
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| 专利 代理 机构： |
北京集佳专利商标事务所 |
代 理 人： |
王学强 |
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