专利：半导体激光器件及其制造方法和使用该器件的光拾取器

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本发明公开了一种适于大规模生产的半导体激光器件及其生产方法，以及一种应用该半导体激光器件的光拾取器。其可以改善导线布置，并使器件小型化。该半导体激光器件包括：多根引线，其穿过一绝缘框架构件的两侧面的每一侧面设置，使其从外部进入该绝缘框架构件的内部；至少一半导体激光元件和一光接收元件安装在该绝缘框架构件内部或其上；以及导线，布置在该绝缘框架构件内部，以将该引线连接到该半导体激光元件和该光接收元件的电极。其中，在该绝缘框架构件内部，该引线中至少一根的末端向内延伸得比元件安装部分的边缘更远，所述边缘朝向与所述至少一根引线穿过该绝缘框架构件同一侧设置的至少另一根引线的末端。

申请号：

03103427.6

申请日：

2003.01.30

名称：

半导体激光器件及其制造方法和使用该器件的光拾取器

公开 (公告) 号：

CN1435927

公开(公告)日：

2003.08.13

主分类号：

H01S5/022

分案原申请号：

分类号：

H01S5/022;G11B7/125;H01L23/02

颁证日：

优先权：

2002.2.1 JP 25074/2002;2002.10.10 JP 297199/2002

申请(专利权)人：

夏普公司

地址：

日本大阪府

发明 (设计)人：

八木有百实;松原和德

国际申请：

国际公布：

进入国家日期：

专利代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

相关专利信息

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