| 申请公开说明书(27页) 审定授权说明书(26页) English version |
具有增加电容的电容器，包括一个增强表面面积(粗糙表面的)导电层或与高电介质常数材料兼容的其他的层。在一种方法中，形成对于该电容器的一个增强表面面积的导电层，通过在500℃以上的高温和75托或以下的低压来处理一个钌氧化物层，最好在5托或以下，以产生具有织纹表面的粗糙的钌层，其具有至少大约100埃的平均特性尺寸。通过化学汽相沉积技术或溅射技术等等可以提供初始钌氧化物层，可以在一个下导电层的上方形成层。该处理可以在一个惰性环境中或在一个还原环境中执行。整个处理过程中或之后可以使用一个氮提供环境或者氮提供还原环境来钝化钌以便提高与高电介质常数电介质材料的兼容性。也可以执行一个氧化环境中的处理以钝化粗糙的层。钌的粗糙的层可以被用于形成一个增强表面面积的导电层。所产生的增强表面面积的导电层可以形成集成电路中存储电容器的一个板极，比如在个DRAM的存储器单元中等等。在另一个方法中，提供钨氮化物层作为电容器的第一电极。该电容器，或至少钨氮化物层被退火以增加电容器的电容。 |
| 申 请 号： |
01810919.5 |
申 请 日：
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2001.06.07 |
| 名 称： |
形成方法以及包含钌和包含钨层的集成电路结构
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| 公开 (公告) 号： |
CN1436364 |
公开(公告)日：
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2003.08.13 |
| 主 分 类 号： |
H01L21/02 |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L21/02 |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
2000.6.8 US 09/590,795 |
| 申请(专利权)人： |
美光科技公司 |
| 地 址： |
美国爱达荷州 |
| 发 明 (设计)人： |
维什努K·阿加瓦尔;加罗·戴德里安 |
国 际 申 请： |
PCT/US01/18585 2001.6.7 |
| 国 际 公 布： |
WO01/95378 英 2001.12.13 |
进入国家日期： |
2002.12.09 |
| 专利 代理 机构： |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代 理 人： |
关兆辉;张天舒 |
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