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    一个钛层和一个氮化钛层相继地形成在一个基底上,而且一个III族氮化合物半导体层形成在其上。当使氮化钛层具有一个足够薄的薄膜厚度的情况下,去除钛层时,获得一个拥有氮化钛层的器件。
申    请    号: 01810990.X 申   请   日: 2001.07.18
名          称: Ⅲ族氮化合物半导体器件

公开 (公告) 号: CN1436375 公开(公告)日: 2003.08.13
主  分  类  号: H01L33/00 分案原申请号:
分    类    号: H01L33/00
颁   证     日: 优   先   权: 2000.7.19 JP 219798/2000
申请(专利权)人: 丰田合成株式会社
地          址: 日本国爱知县
发 明 (设计)人: 柴田直树;千田昌伸 国  际 申 请: PCT/JP01/06238 2001.7.18
国  际  公  布: WO02/07233 英 2002.1.24 进入国家日期: 2002.12.11
专利 代理 机构: 中科专利商标代理有限责任公司 代   理   人: 刘晓峰

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