探讨用于制备聚偏氟乙烯复合膜的原料纳米SiO<sub>2</sub>的修饰方法设计

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本发明公开了一种用于制备聚偏氟乙烯复合膜的纳米SiO₂的修饰方法，属于制备复合膜的原料的制备技术。该方法包括以下具体步骤：将硅烷溶于丙酮或甲苯中，配成硅烷溶液，于超声波中分散后向其中加入冰醋酸于搅拌下调节pH值，反应1～3h后再加入氨水调节pH，加入SiO₂纳米粒子，控制SiO₂与硅烷的质量比，升温进行偶联反应，将所得产物于真空干燥箱中80℃干燥6～10h，制得用于制备聚偏氟乙烯复合膜的纳米SiO₂。本发明的优点在于针对聚偏氟乙烯膜的结构及性能特点制备出硅烷包覆的SiO₂纳米粒子，该粒子不易团聚，可在聚合物中分散均匀。

申请号：	200510014454.5	申请日：	2005.07.11
名称：	用于制备聚偏氟乙烯复合膜的原料纳米SiO₂的修饰方法
公开 (公告) 号：	CN1709951	公开(公告)日：	2005.12.21
主分类号：	C08K3/36	分案原申请号：
分类号：	C08K3/36;C08K9/06;C09C3/12
颁证日：		优先权：
申请(专利权)人：	天津大学
地址：	300072天津市南开区卫津路92号
发明 (设计)人：	张裕卿;曲云	国际申请：
国际公布：		进入国家日期：
专利代理机构：	天津市学苑有限责任专利代理事务所	代理人：	任延

用于制备

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