专利：钽和铌化合物及其用于化学气相沉积(CVD)的应用

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本发明描述通式(I)钽和铌化合物及其用于化学气相沉积法的应用：其中M表示Nb或Ta，R¹和R²互相独立地表示任选取代的C₁-C₁₂烷基、C₅-C₁₂环烷基、C₆-C₁₀芳基、1-烯基、2-烯基、3-烯基、三有机基甲硅烷基-SiR₃或氨基NR₂，其中R表示C₁-C₄烷基，R³表示任选取代的C₁-C₈烷基、C₅-C₁₀环烷基、C₆-C₁₄芳基、SiR₃或NR₂，R⁴表示选自Cl、Br、I的卤素；或NH-R⁵，其中R⁵＝任选取代的C₁-C₈烷基、C₅-C₁₀环烷基或C₆-C₁₀芳基；或O-R⁶，其中R⁶＝任选取代的C₁-C₁₁烷基、C₅-C₁₀环烷基、C₆-C₁₀芳基；或-SiR₃；或BH₄；或任选取代的烯丙基；或茚基；或任选取代的苄基；或任选取代的环戊二烯基；或-NR-NR′R″，其中R、R′和R″互相独立地具有R的上述含义；或CH₂SiMe₃、拟卤化物(如-N₃)、或-N(SiMe₃)₂，R⁷和R⁸互相独立地表示H、任选取代的C₁-C₁₂烷基、C₅-C₁₂环烷基或C₆-C₁₀芳基。

申请号：

200610106335.7

申请日：

2006.07.14

名称：

钽和铌化合物及其用于化学气相沉积(CVD)的应用

公开 (公告) 号：

CN1896079

公开(公告)日：

2007.01.17

主分类号：

C07F7/00(2006.01)I

分案原申请号：

分类号：

C07F7/00(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I

颁证日：

优先权：

2005.7.15 DE 102005033102.5

申请(专利权)人：

H.C.施塔克股份有限公司

地址：

德国戈斯拉

发明 (设计)人：

K·罗伊特尔;J·宗德迈尔;A·默库洛夫;W·施托尔茨;K·福尔茨;M·波科;T·奥赫斯

国际申请：

国际公布：

进入国家日期：

专利代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

邹锋;邹雪梅

相关专利信息

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